| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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PDTA123YT,215 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | NXP Semiconductors | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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PDTA123YT,215参数 产品类别：分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 说明：TRANS PNP W/RES 50V SOT-23 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档晶体管类型：PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：2.2k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：10k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：35 @ 5mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）：1µA 频率 - 转换：- 功率 - 最大：250mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 存储器AT45DB321D-SU 薄膜电容器B25832B4256K1 接线座 - 接头，1002620000 矩形- 接头，公引DF19KR-14P-1H(56) 嵌入式 - 微控制ST7FSCR1E4M1 PMIC - 显示MAX6922AQH D RF 定向耦合器CP0805A0836BWTR 圆形DTS20F15-35SN 晶体CX49GFNB27000H0PESZZ D-SubMDM-51PH006L |
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